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P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
PQFN EPProduttore:
ProduttorePart #:
FDMS4435BZ
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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The FDMS4435BZ is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management and load switching applications in notebook computers and portable battery packs. It utilizes an advanced Power Trench® process to minimize on-state resistance, ensuring efficient and reliable performance. Whether you need to control power flow or regulate voltage, this MOSFET is the ideal choice for demanding electronic devices that require optimal power management
Source Content uid | FDMS4435BZ | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 4 Weeks |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 18 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 9 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.02 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | MO-240AA | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 39 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 50 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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