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FDMS2572 +BOM

N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 150V, 27A, 47mΩ

FDMS2572 Descrizione generale

The FDMS2572 UltraFET device sets a new standard for power conversion efficiency. Its unique combination of low RDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge make it the perfect choice for high frequency DC to DC converters. Designed to deliver benchmark performance in power conversion applications, the FDMS2572 is a versatile and reliable option for engineers and designers looking to maximize efficiency and performance

Caratteristiche principali

  • Safe Operating Area: 2.5-15V
  • Capable of Withstanding High Voltages
  • Rise Time: 100ns
  • High Frequency Response for Digital Applications
  • Low Power Consumption Ideal for Mobile Devices
  • Surge Immunity and Resistance to Electromagnetic Interference

Applicazione

  • A must-have for everyone
  • Suitable for any project
  • Highly recommended product

Specifiche

Source Content uid FDMS2572 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 150 V Drain Current-Max (ID) 27 A
Drain-source On Resistance-Max 0.053 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XDSO-N8 JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2.8 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Terminal Form NO LEAD Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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