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Vedi Specifiche Tecniche

FDMC86259P +BOM

P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -13A, 107mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMC86259P
Scheda dati:

FDMC86259P Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDMC86259P Descrizione generale

Featuring a specially tailored design, the FDMC86259P P-Channel MOSFET is equipped with the latest PowerTrench® process to achieve exceptional performance in power management applications. The minimized on-state resistance provides improved power efficiency and reduced heat generation, resulting in a more reliable and durable system. The superior switching performance further enhances the MOSFET's capabilities, making it an excellent choice for demanding industrial and automotive applications where high performance and reliability are crucial

Caratteristiche principali

Fully Compliant with RoHS & UL
Low R_DS(on) for Efficient Switching
Suitable for Fast Charging Applications
High Current Handling up to -3A
Compact Size for Space-Constrained Designs
Optimized for Low Q_g and High Efficiency

Applicazione

A versatile option for many uses.

Specifiche

Source Content uid	FDMC86259P	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	24 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	181 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	3.2 A	Drain-source On Resistance-Max	0.107 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-240BA
JESD-30 Code	S-PDSO-N5	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	62 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	20 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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