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FDMC86240 +BOM

Silicon N-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with a voltage rating of 150V and a current rating of 4

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMC86240
Scheda dati:

FDMC86240 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDMC86240 Descrizione generale

The FDMC86240 N-Channel MOSFET is a top-of-the-line product that is engineered using the latest PowerTrench^® process. This cutting-edge technology incorporates Shielded Gate technology, allowing for optimal on-state resistance and superior switching performance. With its advanced design, this MOSFET offers unmatched efficiency and reliability in various electronic applications

Caratteristiche principali

Advanced Gate MOSFET Design
Ultra Low Noise Operation
Silicon Carbide Schottky Diode
High Speed Switching Capability
Dual Channel PWM Control
Pulse Width Modulation Technology

Applicazione

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A versatile solution.
Works well in any situation.

Specifiche

Source Content uid	FDMC86240	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	38 Weeks
Application	SWITCHING	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	S-PDSO-N5	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	NICKEL PALLADIUM GOLD	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..