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FDMC86116LZ +BOM

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7.5A, 103mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMC86116LZ
Scheda dati:

FDMC86116LZ Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDMC86116LZ Descrizione generale

Introducing the FDMC86116LZ N-Channel logic Level MOSFETs, meticulously engineered using an innovative Power Trench® process. This tailored approach minimizes on-state resistance without compromising on switching performance. Notably, a G-S Zener element has been integrated to fortify ESD voltage levels, solidifying the MOSFETs' reliability and longevity in demanding operating conditions

Caratteristiche principali

AES-256 encryption
Supports up to 4K resolution
Dual-band Wi-Fi connectivity
Battery life up to 12 hours
10/100 Mbps Ethernet port
SIP compliant with up to 50 calls

Applicazione

Fashion Accessories
Beauty Products
Gift Items

Specifiche

Source Content uid	FDMC86116LZ	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	66 Weeks
Application	SWITCHING	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	S-PDSO-N5	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

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Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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UPS

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NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..