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FDMC5614P +BOM

The FDMC5614P, a P-Channel MOSFET from ON Semiconductor, is engineered with a current handling capacity of 5

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDMC5614P
Scheda dati:

FDMC5614P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMC5614P Descrizione generale

Fairchild Semiconductor's FDMC5614P P-Channel MOSFET is engineered for tough power management applications, making it a durable and reliable choice. This MOSFET is designed with an advanced Power Trench process, ensuring it can withstand challenging conditions. Additionally, it offers a wide range of gate drive voltage ratings from 4.5V to 20V, catering to diverse power management needs. With the FDMC5614P, you can trust that your power management applications will be well-supported

Caratteristiche principali

High speed and precision
Advanced thermal management
Robust and reliable performance
Compact design with low noise
Real-time data acquisition capability
Fast switching speed and high efficiency

Applicazione

Useful in multiple ways
Ideal for many projects
Highly adaptable product

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	13.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	84 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	20 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.1 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDMC5614P	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Height	0.8 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	11 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	32 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	3.3 mm	Unit Weight	0.007055 oz

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