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FDMA410NZ +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.5 V Specified, 20V, 9.5A, 23mΩ

Produttore:

ON
ProduttorePart #:

FDMA410NZ
Scheda dati:

FDMA410NZ Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMA410NZ Descrizione generale

The FDMA410NZ Single N-Channel MOSFET sets the standard for high-performance components, thanks to its innovative design using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process. With optimized rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on a MicroFET leadframe, this MOSFET delivers superior efficiency and reliability, making it a leading choice for engineers seeking top-notch performance in their designs

Caratteristiche principali

High efficiency: 95% at 3 V and 0.5 A
Low dropout voltage: 100 mV at 2.5 A
Wide operating frequency range 10 kHz to 1 MHz

Applicazione

This is a great product choice.
Highly recommended for all users.
Top quality and versatile product.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	9.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	14 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.4 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDMA410NZ	Configuration	Single
Fall Time	3.7 ns	Height	0.75 mm
Length	2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3.9 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns	Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns
Width	2 mm	Unit Weight	0.001411 oz

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