Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FDC6506P +BOM

-pin TSOT-23 P-channel MOSFET with 30V voltage rating

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

FDC6506P
Scheda dati:

FDC6506P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FDC6506P

FDC6506P Descrizione generale

FDC6506P MOSFETs stand out for their superior design, combining the latest PowerTrench® process with precise engineering to deliver unmatched performance. With a focus on minimizing on-state resistance and reducing gate charge, these P-Channel logic level MOSFETs offer unparalleled switching capabilities. Their compact size makes them a practical solution for applications where traditional package options like SO-8 and TSSOP-8 fall short

Caratteristiche principali

- High reliability and low R_DS(ON).
Fast switching speed and high performance.
Low gate charge for energy efficiency.
Compact SuperSOT™-6 package for small designs.
Advanced trench technology for reduced losses.
Robustness against negative voltages and currents.

Applicazione

Perfect for everyday use.
Suitable for various tasks.
Versatile and efficient product.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	1.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	170 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	3.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	960 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC6506P	Configuration	Dual
Fall Time	8 ns	Forward Transconductance - Min	3 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	14 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC6506P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..