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FDC642P +BOM

P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDC642P
Scheda dati:

FDC642P Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDC642P Descrizione generale

The FDC642P stands out for its ability to minimize on-state resistance without compromising on gate charge, ensuring efficient switching performance. Its PowerTrench® process sets it apart from other MOSFETs, making it an optimal choice for demanding applications

Caratteristiche principali

Ultra-low power consumption.
Fast response time guaranteed.
High-speed data transfer enabled.
Silicon-based with high durability.
Compact design for minimal space.
Efficient thermal dissipation ensured.

Applicazione

Great for everyday use
Versatile and reliable
Perfect for various tasks

Specifiche

Source Content uid	FDC642P	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	4 A	Drain-source On Resistance-Max	0.065 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	145 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.8 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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