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FDC6420C +BOM

TSOT-23-6 MOSFETs ROHS

FDC6420C Descrizione generale

Boasting cutting-edge PowerTrench® technology, the FDC6420C N & P-Channel MOSFETs are the epitome of efficiency and performance. These devices are optimized to minimize on-state resistance without compromising on switching speed, providing a solution that excels in power dissipation within a compact footprint. Say goodbye to the limitations of bulky SO-8 and TSSOP-8 packages, as the FDC6420C offers a more practical and cost-effective alternative

Caratteristiche principali

  • Low voltage dropout
  • High output current density
  • Excellent thermal stability
  • Robust anti-static discharge protection

Applicazione

  • Perfect for any project
  • A versatile solution
  • Unleash the possibilities

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 3 A, 2.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV, 600 mV
Qg - Gate Charge 4.6 nC, 3.7 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 960 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDC6420C Configuration Dual
Fall Time 7 ns, 12 ns Forward Transconductance - Min 10 S, 6 S
Height 1.1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 7 ns, 12 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 13 ns, 10 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns, 9 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases FDC6420C_NL Unit Weight 0.001270 oz

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