Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FDC638P +BOM

FDC638P is a high-performance P-Channel PowerTrench MOSFET optimized for 2

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC638P
Scheda dati:

FDC638P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FDC638P

FDC638P Descrizione generale

Designed for small signal field-effect transistor applications, the FDC638P offers a compelling combination of performance and reliability. Its P-channel configuration simplifies integration into existing circuit designs, and its low on-resistance minimizes power loss and heat generation. The 1-element construction enables compact and efficient design implementations, while the PowerTrench specified MOSFET technology ensures consistent performance across varying operating conditions. With its 20V voltage rating and 4.5A current rating, the FDC638P is well-suited for a broad range of applications, from power supplies to motor control, and its silicon metal-oxide semiconductor construction provides the durability and dependability required for demanding environments

Caratteristiche principali

-10mA, +5V, 0.2mΩ.
+15mA, -3V, 15nF.

Applicazione

Suitable for diverse applications.
Useful in many different scenarios.
Can be applied in various ways.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	4.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	48 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	14 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC638P	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	15 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	33 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC638P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..