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Vedi Specifiche Tecniche

FDC604P +BOM

SSOT-6 P-Channel MOSFET

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC604P
Scheda dati:

FDC604P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC604P Descrizione generale

FDC604P is a P-Channel 1.8V specified MOSFET that utilizes Fairchild's innovative low voltage PowerTrench process. This technology has been finely tuned for optimal performance in battery power management applications. Its high efficiency and voltage specifications make it a reliable choice for various power management needs. With its efficient power handling capabilities, this MOSFET is well-suited for a range of portable electronic devices, mobile phones, and other battery-operated equipment

Caratteristiche principali

-5 A, -20 V
Fast switching speed
R_DS(on) = 12 mΩ @ V_GS = -1.2V
Low voltage operation down to -15 V
High current handling up to 10 A
Trench technology for reduced R_DS(on)

Applicazione

Great for all occasions.
Works well in any situation.
Perfect for a variety of uses.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	33 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	30 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC604P	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Forward Transconductance - Min	23 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	11 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	90 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC604P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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