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Vedi Specifiche Tecniche

FDC5614P +BOM

Low voltage drop and fast switching speeds make it ideal for power management

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC5614P
Scheda dati:

FDC5614P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC5614P Descrizione generale

Featuring a supersot package, the FDC5614P is easy to integrate into compact designs without sacrificing performance. The Rds(on) test voltage of -10V provides accurate measurements of the on-resistance under real-world conditions, ensuring consistent results in practical applications. Whether used in power management systems or motor control circuits, this MOSFET delivers excellent performance and reliability

Caratteristiche principali

High efficiency, low loss
Fast switching speed, high performance
Ultra-low RDS(ON), high current density
Compact design, high power density
Low capacitance, high reliability
Excellent thermal characteristics

Applicazione

Reliable and efficient
Suitable for diverse tasks
Works effectively in any setting

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	24 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC5614P	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Forward Transconductance - Min	8 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	19 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC5614P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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