Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FDC3601N +BOM

Compact 6-pin SSOT package housing a high-performance N-channel MOSFET Transistor rated for 1A current and 100V voltage

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC3601N
Scheda dati:

FDC3601N Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FDC3601N

FDC3601N Descrizione generale

These N-Channel 100V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.

Caratteristiche principali

Robust construction
High temperature tolerance
Silicon-based insulation
Self-isolation protection

Applicazione

Diverse applications possible.
Adaptable for various needs.
Works well in many situations.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	500 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	960 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC3601N	Configuration	Dual
Fall Time	4 ns	Forward Transconductance - Min	3.6 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	4 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC3601N_NL	Unit Weight	0.001270 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..