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Vedi Specifiche Tecniche

FDB2614 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V, 62A, 27mΩ

Produttore:

ON
ProduttorePart #:

FDB2614
Scheda dati:

FDB2614 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDB2614 Ispezione a raggi X

X-Ray inspection ensures product integrity by detecting internal defects without damaging external packaging. It reduces failure rates and enhances production efficiency, making it indispensable in the electronics components industry.

FDB2614 Descrizione generale

The FDB2614 N-Channel MOSFET showcases exceptional performance capabilities thanks to its innovative PowerTrench® manufacturing process. This process is specifically designed to reduce on-state resistance without compromising on the device's ability to deliver superior switching performance. As a result, users can expect reliable and efficient operation in a variety of applications

Caratteristiche principali

Low Voltage Operation
High Power Density
Ultra-Compact Design

Applicazione

Immersive experience
Compact size
Versatile usage

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	62 A
Rds On - Drain-Source Resistance	22.9 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	99 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	260 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDB2614
Configuration	Single	Fall Time	162 ns
Forward Transconductance - Min	72 S	Height	4.83 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	284 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	103 ns
Typical Turn-On Delay Time	77 ns	Width	9.65 mm
Unit Weight	0.139332 oz

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