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FDA50N50 +BOM

N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-3PN

FDA50N50 Descrizione generale

This MOSFET family is specifically designed for use in switching power converter applications, including power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX systems, and electronic lamp ballasts. Its versatility and superior performance make it an ideal choice for a wide range of power electronics applications requiring high voltage capabilities and efficient power management

Caratteristiche principali

  • RDS(on) = 56mΩ ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 29.5A
  • Low gate charge ( Typ. 77nC)
  • Low Crss ( Typ. 80pF)
  • 100% avalanche tested

Applicazione

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V
FET Feature - Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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