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FDA20N50F +BOM

Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, FRFET®, 500 V, 22 A, 260 mΩ, TO-3P

FDA20N50F Descrizione generale

Engineers can benefit from the improved performance and reliability of the FDA20N50F in their power electronics designs. By leveraging the unique features of the UniFET FRFET® MOSFET, they can simplify their circuit designs and achieve better overall system performance. With the FDA20N50F, designers can trust in the enhanced body diode performance and reduced on-state resistance to deliver the efficiency and robustness required in modern power converter applications

Caratteristiche principali

  • Long lifespan and high durability
  • Excellent moisture resistance
  • Easy installation and mounting
  • Low maintenance required

Applicazione

  • Reliable and adaptable solution
  • Efficient for various tasks
  • Highly recommended for all

Specifiche

Source Content uid FDA20N50F Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 50 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 1110 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V Drain Current-Max (ID) 22 A
Drain-source On Resistance-Max 0.26 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 388 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 88 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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