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DMN62D0LFD-7 +BOM
DMN62D0LFD-7 is an N-channel enhancement mode MOSFET designed for small signal applications
3-UDFN-
Produttore:
Diodes Incorporated
-
ProduttorePart #:
DMN62D0LFD-7
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
310mA (Ta)
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 9142 PZ
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DMN62D0LFD-7 Descrizione generale
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Caratteristiche principali
- Low On-Resistance: RDS(ON)
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 2, 4 and 6)
- ESD Protected Up To 2kV
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 480mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | DMN62 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 9.142
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
10+ | $0,048 | $0,48 |
100+ | $0,042 | $4,20 |
300+ | $0,039 | $11,70 |
3000+ | $0,036 | $108,00 |
6000+ | $0,034 | $204,00 |
9000+ | $0,033 | $297,00 |
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