Metodo di pagamento
CPH5517-TL-E +BOM
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
SOT-23-5Thin,TSOT-23-5-
Produttore:
onsemi
-
ProduttorePart #:
CPH5517-TL-E
-
Scheda dati:
-
Transistor Type:
NPN, PNP (Common Base)
-
Current - Collector (Ic) (Max):
1A
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
50V
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
430mV @ 10mA, 500mA
-
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a [email protected], oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su CPH5517-TL-E. Risposta garantita entro 12hr.
Disponibilità: 9074 PZ
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
CPH5517-TL-E Descrizione generale
Featuring a dual configuration with NPN and PNP transistors, the CPH5517-TL-E module offers versatility and flexibility for electronic circuit design. With a Collector Emitter Voltage of 50V and a Typ Gain Bandwidth of 420MHz, this transistor provides reliable performance for signal amplification and switching applications. The Power Dissipation of 900mW and DC Collector Current of 1A ensure efficient operation, while the DC Current Gain of 560 optimizes signal amplification. The Transistor Case Style of SOT-346 allows for easy installation and connection with 5 pins for secure attachment
Caratteristiche principali
- Polymer-based material offering high-temperature resistance
- Compact and lightweight design for easy installation
- Dual-in-line package allowing for increased functionality
- High-speed switching operation with low current consumption
- Robust construction ensuring reliable performance over time
- Molded plastic casing providing added protection and durability
Applicazione
- Antennas, Receivers, Transmitters
- Filters, Oscillators, Phase Locked Loops
- Memory Devices, Data Converters
Specifiche
Transistor Type | NPN, PNP (Common Base) | Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 430mV @ 10mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Power - Max | 900mW | Frequency - Transition | 420MHz |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | CPH5517 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 9.074
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
prodotti sponsorizzati
Top Sellers
-
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
-
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
-
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
-
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
-
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren