Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

BUV61 +BOM

Si-based power transistor offering high current handlin

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

BUV61
Scheda dati:

BUV61 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

200 V
Collector- Base Voltage VCBO:

300 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per BUV61

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

BUV61 Descrizione generale

Housed in a TO-3 case style, the BUV61 offers a robust and compact form factor, facilitating easy integration into various circuit designs. Its RoHS compliance underscores its commitment to environmental sustainability, meeting stringent regulatory standards while delivering exceptional performance

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	200 V
Collector- Base Voltage VCBO	300 V	Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Maximum DC Collector Current	50 A	Pd - Power Dissipation	250 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..