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BUV22 +BOM
Product Overview: Bipolar Transistors - BJT with 40A, 250V, 250W ratings
TO-204-2-
Produttore:
Onsemi
-
ProduttorePart #:
BUV22
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
250 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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BUV22 Descrizione generale
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Caratteristiche principali
- Safe and Reliable Performance
- High Current Handling up to 30 A
- Fast Recovery Time: 0.5 ms at IC = 20 A
- RoHS Compliant
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V | Collector- Base Voltage VCBO | 300 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum DC Collector Current | 40 A | Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 8 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Continuous Collector Current | 40 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 | Height | 8.51 mm |
Length | 38.86 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 100 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 26.67 mm |
Unit Weight | 0.056438 oz |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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