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BUH1015HI +BOM
BUH1015HI belongs to the Bipolar Junction Transistor (BJT) family
SOT-93-3-
Produttore:
Onsemi
-
ProduttorePart #:
BUH1015HI
-
Scheda dati:
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
700 V
-
Collector- Base Voltage VCBO:
1.5 kV
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 6150 PZ
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BUH1015HI Descrizione generale
Housed in a TO-220 package, the BUH1015HI offers not only easy mounting on a heat sink for effective heat dissipation but also robust thermal conductivity for optimal performance. Its wide operating temperature range of -55°C to 150°C makes it a reliable choice for harsh industrial environments, where durability is key. Additionally, this transistor has a high pulse capability of 40A, allowing it to handle short-term overloads without risk of damage, ensuring reliable operation under varying conditions
Caratteristiche principali
- Low on-resistance
- Improved temperature range
- ESD protected design
- Pulse width modulation
Applicazione
- Smart appliance control
- Efficient power usage
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 700 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 1.5 kV | Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
Maximum DC Collector Current | 14 A | Pd - Power Dissipation | 70 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 7 at 10 A, 5 V | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
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In Stock: 6.150
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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