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BSS138Q-7-F +BOM

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

BSS138Q-7-F
Scheda dati:

BSS138Q-7-F Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

BSS138Q-7-F Descrizione generale

N-Channel 50 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

- Drain current of 200 mA

- Transconductance of 100 mS

- Power dissipation of 300 mW

- Gate-source voltage of +/- 20 V

- Drain-source breakdown voltage of 50 V

- Turn-on delay time of 20 ns

- Packaging in Reel

- Configuration of Single

- Package-Case of SOT23

- Mounting-Style of SMD/SMT

Applicazione

The BSS138Q-7-F DIODES Discrete Semiconductor Products Transistors - FETs, MOSFETs - Single is suitable for use in a variety of applications, including power management, motor control, and signal processing. It is also suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics.

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	84 Weeks	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	50 V	Drain Current-Max (ID)	0.2 A
Drain-source On Resistance-Max	3.5 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	8 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Reference Standard	AEC-Q101; IATF 16949	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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