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BG3130RH6327XTSA1 +BOM

Dual RF N-channel MOSFET tetrode for reliable power handling"

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BG3130RH6327XTSA1
Scheda dati:

BG3130RH6327XTSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
Frequency:

800MHz
Gain:

24dB
EDA/CAD Modelli:

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BG3130RH6327XTSA1 Descrizione generale

RF Mosfet 5 V 14 mA 800MHz 24dB PG-SOT363-PO

Specifiche

Series	-	Technology	MOSFET
Configuration	2 N-Channel (Dual)	Frequency	800MHz
Gain	24dB	Voltage - Test	5 V
Current Rating (Amps)	25mA	Noise Figure	1.3dB
Current - Test	14 mA	Power - Output	-
Voltage - Rated	8 V	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BG3130

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