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BCW61C +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

BCW61C
Scheda dati:

BCW61C Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

550mV @ 1.25mA, 50mA
EDA/CAD Modelli:

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BCW61C Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23

Caratteristiche principali

Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 32 V).
AEC-Q101 qualified

Applicazione

General purpose switching and amplification.

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 2mA, 5V
Power - Max	250 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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