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Vedi Specifiche Tecniche

APT10053LNR +BOM

Ideal for high-voltage, high-current applications requiring low on-resistanc

Produttore:

Advanced Power Technology
ProduttorePart #:

APT10053LNR
Scheda dati:

APT10053LNR Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Additional Feature:

AVALANCHE RATED
EDA/CAD Modelli:

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APT10053LNR Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1000V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Additional Feature	AVALANCHE RATED
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	1000 V	Drain Current-Max (Abs) (ID)	20 A
Drain Current-Max (ID)	20 A	Drain-source On Resistance-Max	0.53 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-264AA
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	520 W
Power Dissipation-Max (Abs)	520 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	80 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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