Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Discontinued on 08-10, phased out on 11-01, obsolete on 11-04
TO-220-3Produttore:
Toshiba
ProduttorePart #:
2SK3265
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su 2SK3265. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
Whether you are designing a robust audio amplifier or a high-powered power supply, the 2SK3265 power FET delivers the performance and durability required for demanding applications. Its combination of high voltage and current ratings, low on-resistance, easy control characteristics, and built-in protection features make it a go-to choice for engineers looking to enhance the efficiency and reliability of their designs. Trust the 2SK3265 to handle your high-power needs with precision and peace of mind
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 45 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | 2SK3265 |
Configuration | Single | Fall Time | 42 ns |
Height | 15.1 mm | Length | 10.16 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 40 ns |
Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Width | 4.45 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren