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Vedi Specifiche Tecniche

2SC2873 +BOM

2A 2V SOT-89-3 Transistors

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

2SC2873
Scheda dati:

2SC2873 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelli:

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2SC2873 Descrizione generale

Featuring a transition frequency (ft) of approximately 500 MHz, this transistor is well-suited for high-frequency applications where precision and stability are paramount. The TO-92 package type further enhances its usability, offering a compact size and easy mounting options for seamless integration into electronic circuits

Caratteristiche principali

High breakdown voltage of 40V
Low saturation voltage of 0.2V
Low noise figure
High DC current gain
Fast switching speed
Low capacitance
Good linearity
Designed for RF amplifier and oscillator applications
High power dissipation capability

Applicazione

High frequency use
Communication devices
Amplifier units

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Gain Bandwidth Product fT	120 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	2SC	Continuous Collector Current	2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	70	DC Current Gain hFE Max	240
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors

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