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2MI50F-050 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 500V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

2MI50F-050
Scheda dati:

2MI50F-050 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min:

500 V
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

2MI50F-050 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 500V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Caratteristiche principali

8-pin SOIC package
Available in RoHS compliant package
IDT’s lowest cost clock divider
Low skew (500 ps) outputs. One is /2 of the other
Easy to use with other generators and buffers
Input clock frequency up to 156 MHz
Output clock duty cycle of 45/55
Power-down turns off chip
Output Enable
Advanced, low-power CMOS process
Operating voltage of 3.3 V or 5 V
Does not degrade phase noise - no PLL
Available in industrial and commercial temperature
ranges

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	50 A
Drain-source On Resistance-Max	0.11 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PUFM-X8	Number of Elements	2
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	400 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	150 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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