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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, M233, 7 PIN
MODULEProduttore:
ProduttorePart #:
2MBI150PC-140
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Obsolete
Pin Count:
7
ECCN Code:
EAR99
Case Connection:
ISOLATED
EDA/CAD Modelli:
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
Part Life Cycle Code | Obsolete | Pin Count | 7 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Case Connection | ISOLATED | Collector Current-Max (IC) | 200 A |
Collector-Emitter Voltage-Max | 1400 V | Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20 V | JESD-30 Code | R-XUFM-X7 |
Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 7 |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1100 W | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO | Terminal Form | UNSPECIFIED |
Terminal Position | UPPER | Transistor Application | POWER CONTROL |
Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Nom (toff) | 1000 ns |
Turn-on Time-Nom (ton) | 1200 ns | VCEsat-Max | 3 V |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
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2SC2625
Sptech
1000+ $0,410
2SC4242
FUJITSU
1000+ $0,171
7MBR50SB120-50
Fuji Electric
Rugged and reliable power device for industrial automation
7MBR50SB-120-50
FUJITSU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
2SK1018
FUJITSU
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET