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2MBI75N-120 +BOM

FUJI IGBT Modules

Caratteristiche principali

  • Square RBSOA
  • Low Saturation Voltage
  • Less Total Power Dissipation
  • Improved FWD Characteristic
  • Minimized Internal Stray Inductance
  • Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)

Specifiche

Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count 7
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 75 A Collector-Emitter Voltage-Max 1200 V
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT Fall Time-Max (tf) 500 ns
JESD-30 Code R-XUFM-X7 Number of Elements 2
Number of Terminals 7 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 1200 W Power Dissipation-Max (Abs) 600 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED Terminal Position UPPER
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 850 ns Turn-on Time-Nom (ton) 650 ns
VCEsat-Max 3.3 V

Politiche di servizio e altro

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