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Vedi Specifiche Tecniche

2MBI200N-060 +BOM

Robust insulated gate bipolar transistor for efficient energy transmissio

Produttore:

Fuji Electric Co Ltd
ProduttorePart #:

2MBI200N-060
Scheda dati:

2MBI200N-060 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

7
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

Caratteristiche principali

Square RBSOA
Low Saturation Voltage
Less Total Power Dissipation
Improved FWD Characteristic
Minimized Internal Stray Inductance
Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	7
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	200 A
Collector-Emitter Voltage-Max	600 V	Configuration	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
Fall Time-Max (tf)	350 ns	JESD-30 Code	R-XUFM-X7
Number of Elements	2	Number of Terminals	7
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	1600 W
Power Dissipation-Max (Abs)	800 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	600 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	600 ns	VCEsat-Max	2.8 V

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