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2DB1132R-13 +BOM
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A 190MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
SOT-89-3-
Produttore:
Diodes Incorporated
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ProduttorePart #:
2DB1132R-13
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Scheda dati:
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
PNP
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Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
32 V
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EDA/CAD Modelli:
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2DB1132R-13 Descrizione generale
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A 190MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 32 V | Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 125 mV |
Maximum DC Collector Current | 1 A | Pd - Power Dissipation | 1 W |
Gain Bandwidth Product fT | 190 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | 2DB11 |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 180 at - 100 mA, - 3 V | Height | 1.5 mm |
Length | 4.5 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 2.48 mm |
Unit Weight | 0.001834 oz |
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