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Vedi Specifiche Tecniche

UMY1NTR +BOM

Transistor with 150mA NPN and -150mA PNP ratings

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

UMY1NTR
Scheda dati:

UMY1NTR Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Current - Collector (Ic) (Max):

150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
EDA/CAD Modelli:

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UMY1NTR Descrizione generale

Our product UMY1NTR offers devices that integrate two transistors in ultra-compact packages, making them perfect for a wide range of applications. Whether you need them for pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs, or any other application that requires reliable and efficient transistor integration, UMY1NTR has you covered

Caratteristiche principali

1) Included a 2SA1037AK and a 2SC2412K transistor in a EMT, UMT or SMT package.

2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines.

3) PNP and NPN transistors have common emitters.

4) Mounting cost and area can be cut in half.

Applicazione

AMPLIFIER

Specifiche

Transistor Type	1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)	Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Power - Max	150mW	Frequency - Transition	180MHz, 140MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMY1

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..