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TIP32E +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 3 A 3MHz 40 W Through Hole TO-220

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

TIP32E
Scheda dati:

TIP32E Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

140 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

2.5V @ 750mA, 3A
EDA/CAD Modelli:

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TIP32E Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 3 A 3MHz 40 W Through Hole TO-220

Specifiche

Series	-	Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	3 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	140 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 750mA, 3A	Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 4V	Power - Max	40 W
Frequency - Transition	3MHz	Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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