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STP20NM60 +BOM

TO-220 package houses a high-performance N-channel 600V MOSFET, boasting 0.25 ohm resistance and 20A current capacity

Produttore:

Stmicroelectronics
ProduttorePart #:

STP20NM60
Scheda dati:

STP20NM60 Scheda dati (PDF)
Operating Temp Min Celsius:

-55.0
Operating Temp Max Celsius:

150.0
ECCN US:

EAR99
ECCN EU:

NEC
EDA/CAD Modelli:

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STP20NM60 Descrizione generale

The STP20NM60 Power MOSFET introduces a groundbreaking approach to power semiconductor technology with its innovative MDmesh™ design. By integrating a multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout, this product offers exceptional performance advantages. With a low on-resistance, high dv/dt, and excellent avalanche characteristics, the STP20NM60 demonstrates superior capabilities in the field. Through the utilization of the company's unique strip technique, this Power MOSFET delivers unmatched dynamic performance, surpassing the offerings of competitors in the market

Caratteristiche principali

High dv/dt and avalanche capabilities
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Low gate input resistance

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Operating Temp Min Celsius	-55.0	Operating Temp Max Celsius	150.0
ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tube	Grade	Industrial

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