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SS8050-G +BOM

SS8050-G BJT: A versatile NPN transistor capable of handling currents up to 1.5A and voltages of 40V

Produttore:

Comchip Technology
ProduttorePart #:

SS8050-G
Scheda dati:

SS8050-G Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

25 V
EDA/CAD Modelli:

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SS8050-G Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

NPN transistor with high current and low voltage characteristics
Maximum current: 5A
Low saturation voltage and high gain value

Applicazione

Signal amplification
LED drivers

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	350	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.000282 oz

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