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SPP11N60C2 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

SPP11N60C2 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Specifiche

Source Content uid SPP11N60C2 Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count 3 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 340 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V Drain Current-Max (ID) 11 A
Drain-source On Resistance-Max 0.38 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 125 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Element Material SILICON

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