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SKP10N60A +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor SKP10N60A

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

SKP10N60A
Scheda dati:

SKP10N60A Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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SKP10N60A Descrizione generale

IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Through Hole PG-TO220-3-1

Caratteristiche principali

600V breakdown voltage
10A continuous drain current
Low on-state resistance
Fast switching speed
Low gate charge
High ruggedness

Applicazione

Reliable in industrial use
Great for lighting projects
Ideal for power supplies

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKP10N60	Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Height	9.25 mm	Length	10 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	IGBTs	Width	4.4 mm
Part # Aliases	SKP10N60AXK SP000683144 SKP10N60AXKSA1	Unit Weight	0.211644 oz

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