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Vedi Specifiche Tecniche

SIA975DJ-T1-GE3 +BOM

P-Channel MOSFET with Dual 12 V (D-S)

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SIA975DJ-T1-GE3
Scheda dati:

SIA975DJ-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

DRAIN
Configuration:

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:

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SIA975DJ-T1-GE3 Descrizione generale

The SIA975DJ-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor that operates at a current of 4.5A and a voltage of 12V. This P-channel silicon MOSFET features two elements, making it a reliable choice for various electronic applications. Additionally, this transistor is halogen-free and RoHS compliant, adhering to strict environmental regulations. Its leadless design and SC-70 package ensure easy installation and space-saving benefits. The PowerPAK-6 configuration further enhances its performance and durability, making it a versatile option for circuit design

Caratteristiche principali

Advanced power management technology
New era of high-efficiency switching
Rapid switching time and high current
Fast response times for reliable control
Efficient power conversion for smaller
Sustainable energy solutions for future

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Case Connection	DRAIN	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	12 V	Drain Current-Max (ID)	4.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.041 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	S-PDSO-N6	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	7.8 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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