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SIA931DJ-T1-GE3 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor,

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SIA931DJ-T1-GE3
Scheda dati:

SIA931DJ-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

68 Weeks
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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SIA931DJ-T1-GE3 Descrizione generale

Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Caratteristiche principali

Small thermal resistance
Low inductance package
Suitable for high-frequency applications

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	68 Weeks
Case Connection	DRAIN	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	4.5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.065 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	45 pF	JESD-30 Code	S-PDSO-N6
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	7.8 W
Surface Mount	YES	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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