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SIA906EDJ-T1-GE3 +BOM

Dual N Channel 20 V 0.046 O 3.5 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L Dual

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SIA906EDJ-T1-GE3
Scheda dati:

SIA906EDJ-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V
EDA/CAD Modelli:

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SIA906EDJ-T1-GE3 Descrizione generale

The SIA906EDJ-T1-GE3 is a MOSFET transistor with dual N-channel polarity, designed for high performance in power applications. It has a continuous drain current (Id) of 4.5A and a drain source voltage (Vds) of 20V, making it suitable for a wide range of power supply and switching applications. With an on resistance (Rds(on)) of 0.037ohm and a test voltage (Vgs) of 4.5V, this MOSFET provides low power dissipation and high efficiency in operation. Additionally, it features a threshold voltage that ensures reliable and precise switching behavior

Caratteristiche principali

New thermally enhanced package
TrenchFET power MOSFET technology
Advanced thermal management

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V	Power - Max	7.8W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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