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MOSFET with Dual N-Channel Configuration and 30-V Voltage Rating
PowerPAK-SO-8Produttore:
ProduttorePart #:
SI7998DP-T1-GE3
Scheda dati:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
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The leadless POWERPAK package of the SI7998DP-T1-GE3 enhances thermal dissipation and allows for easy surface mounting on PCBs. The SOP-8 configuration offers compatibility with standard soldering techniques, simplifying the assembly process for manufacturers
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 25 A, 30 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.3 mOhms, 9.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 17 nC, 32 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 22 W, 40 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
Configuration | Dual | Fall Time | 10 ns, 13 ns |
Forward Transconductance - Min | 45 S, 71 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 15 ns, 17 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns, 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns, 26 ns |
Part # Aliases | SI7998DP-GE3 | Unit Weight | 0.017870 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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