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SI7938DP-T1-GE3 +BOM

Dual-Source N-Channel MOSFET, 40V, PPAKSO8 Package, VISHAY - SI7938DP-T1-GE3

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI7938DP-T1-GE3
Scheda dati:

SI7938DP-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI7938DP-T1-GE3 Descrizione generale

Mosfet Array 40V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Caratteristiche principali

Advanced driver design
Low on-state resistance
MOSFET with high efficiency
Ruggedized package structure
Excellent thermal management
Precision current limit

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	60 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5.8 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	65 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	46 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Configuration	Dual	Fall Time	15 ns
Forward Transconductance - Min	105 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	19 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Part # Aliases	SI7938DP-GE3	Unit Weight	0.017870 oz

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