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SI7288DP-T1-GE3 +BOM

MOSFET with Dual N-Channel configuration, 40V Source Voltage, and 20A Continuous Drain Current

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI7288DP-T1-GE3
Scheda dati:

SI7288DP-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI7288DP-T1-GE3 Descrizione generale

The product SI7288DP-T1-GE3 is a high-quality transistor that belongs to the PowerPAK® SO-8 Dual family. It is designed to operate at temperatures ranging from -55°C to 150°C, making it suitable for a wide range of applications. With a very low resistance of 19mΩ at 10A and 10V, this MOSFET transistor offers excellent performance and efficiency. Its dual N-Channel configuration allows for versatile use in different circuit designs. The SI7288DP-T1-GE3 is packaged in a convenient Tape & Reel format, ensuring easy handling and storage

Caratteristiche principali

Dual-channel architecture
High-efficiency operation
Rapid switching time

Applicazione

Backlight Inverter for LCD Displays |DC/DC Converter D1 D2

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance	19 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	15 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	15.6 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Configuration	Dual	Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	39 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	14 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Part # Aliases	SI7288DP-GE3	Unit Weight	0.017870 oz

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