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Vedi Specifiche Tecniche

SI7232DN-T1-GE3 +BOM

SI7232DN-T1-GE3 MOSFET, featuring Dual N-Channel design

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI7232DN-T1-GE3
Scheda dati:

SI7232DN-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Application:

SWITCHING
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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SI7232DN-T1-GE3 Descrizione generale

III. The SI7232DN-T1-GE3 is a cutting-edge N-Channel Power FET with a 10A maximum drain current and a low on-resistance of 0.0164ohm. Its 2-Element, leadless Powerpak-8 package enables compact and efficient system designs while providing excellent thermal management. The device's Silicon Metal-oxide Semiconductor FET technology ensures high switching speeds and low power dissipation, making it suitable for a wide range of power management and control applications. In addition, its HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT construction demonstrates its compliance with strict environmental standards and regulations. Whether utilized in telecommunication infrastructure, computing systems, or industrial machinery, the SI7232DN-T1-GE3 offers superior energy efficiency and reliability

Caratteristiche principali

TrenchFET® power MOSFET
Material categorization: for definitions of compliance please see

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Application	SWITCHING	Case Connection	DRAIN
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	S-XDSO-C6	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	C BEND
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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