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SI4948BEY-T1-GE3 +BOM

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC T/R

SI4948BEY-T1-GE3 Descrizione generale

The SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET is a high-performance power transistor with a P-Channel configuration and a maximum Drain Source Voltage of -60V. With a low on-resistance of 100mohm and a maximum Continuous Drain Current of -3.1A, this MOSFET offers efficient power management in a compact SOIC package. The dual module configuration and wide operating temperature range make it suitable for a variety of applications, from consumer electronics to industrial controls. Whether you need reliable performance in extreme temperatures or high power dissipation capabilities, the SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET delivers on all fronts

Caratteristiche principali

  • None
  • Specifiche

    Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
    Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
    Drain Current-Max (ID) 2.4 A Drain-source On Resistance-Max 0.12 Ω
    FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code MS-012AA
    JESD-30 Code R-PDSO-G8 Moisture Sensitivity Level 1
    Number of Elements 2 Number of Terminals 8
    Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
    Polarity/Channel Type P-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2.4 W
    Surface Mount YES Terminal Finish PURE MATTE TIN
    Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
    Transistor Element Material SILICON

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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