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SI4948BEY-T1-GE3 +BOM
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC T/R
SOIC-8-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
SI4948BEY-T1-GE3
-
Scheda dati:
-
Part Life Cycle Code:
Active
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Reach Compliance Code:
compliant
-
Configuration:
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
-
DS Breakdown Voltage-Min:
60 V
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 5719 PZ
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SI4948BEY-T1-GE3 Descrizione generale
The SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET is a high-performance power transistor with a P-Channel configuration and a maximum Drain Source Voltage of -60V. With a low on-resistance of 100mohm and a maximum Continuous Drain Current of -3.1A, this MOSFET offers efficient power management in a compact SOIC package. The dual module configuration and wide operating temperature range make it suitable for a variety of applications, from consumer electronics to industrial controls. Whether you need reliable performance in extreme temperatures or high power dissipation capabilities, the SI4948BEY-T1-GE3 MOSFET delivers on all fronts
Caratteristiche principali
Specifiche
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 2.4 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.12 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MS-012AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2.4 W |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | PURE MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Transistor Element Material | SILICON |
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In Stock: 5.719
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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1+ | $0,873 | $0,87 |
10+ | $0,722 | $7,22 |
30+ | $0,647 | $19,41 |
100+ | $0,572 | $57,20 |
500+ | $0,465 | $232,50 |
1000+ | $0,441 | $441,00 |
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