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SI4946BEY-T1-GE3 +BOM

MOSFET Array Transistor featuring Dual N-Channel Configuration, 60V Voltage Rating, 6

SI4946BEY-T1-GE3 Descrizione generale

MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.4V; Power Dissipation Pd: 3.7W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)

Caratteristiche principali

  • Designed for advanced, high-speed, power management applications.
  • Low on-resistance and low gate charge.
  • High performance due to reduced conduction and switching losses.
  • RoHS compliant.

Applicazione

  • Power management in various electronic devices.
  • DC-DC converters.
  • Battery chargers.
  • Motor control circuits.
  • LED lighting applications.

Specifiche

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 41 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 17 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 3.7 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI4
Configuration Dual Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 24 S Product Type MOSFET
Rise Time 12 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 25 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Part # Aliases SI4946BEY-GE3 Unit Weight 0.026455 oz

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