Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Dual N-Channel 30 V 0.016 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SOIC-8Produttore:
ProduttorePart #:
SI4922BDY-T1-E3
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Not Recommended
Reach Compliance Code:
compliant
Configuration:
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min:
30 V
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su SI4922BDY-T1-E3. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The SI4922BDY-T1-E3 is a powerful MOSFET transistor with dual N Channel polarity, ideal for applications requiring high efficiency. Its maximum Drain Source Voltage (Vds) is 30V, allowing for robust performance. With a Continuous Drain Current (Id) of 8000mA, this transistor can handle significant loads. The Rds(on) Test Voltage (Vgs) is specified at 12V, and the Threshold Voltage (Vgs Typ) is 1.8V. Housed in an 8-SOIC package, this transistor is environmentally friendly, meeting RoHS standards
Part Life Cycle Code | Not Recommended | Reach Compliance Code | compliant |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (ID) | 8 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.024 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MS-012AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -50 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 3.1 W | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.