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SI2399DS-T1-GE3 +BOM

Field-effect transistor in a SOT-23 housing, capable of handling up to -20V across the drain-source and 12V across the gate-source

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2399DS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2399DS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2399DS-T1-GE3 Descrizione generale

P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg Tested
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	34 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns	Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Part # Aliases	SI2399DS-T1-BE3	Unit Weight	0.000282 oz

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